基于内外两级并行的多通道闪存存储系统设计

作     者：秦国杰 谢民 高梅国 傅雄军 刘国满 QIN Guo-jie;XIE Min;GAO Mei-Guo;FU Xiong-jun;LIU Guo-man

作者机构：北京理工大学信息与电子学院北京100081 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61001190) 

出 版 物：《北京理工大学学报》 (Transactions of Beijing Institute of Technology)

年 卷 期：2013年第33卷第8期

页      码：841-847页

摘      要：针对单片闪存存取速率低、存储容量小的问题,根据对NAND型闪存存取带宽影响因素的分析,提出了一种多通道闪存存储系统结构,同时采用通道间流水和通道内交织两级并行访问方法提高存储系统吞吐量,推导出了通道内外并行多通道存储系统的存取带宽计算公式.此外,通过给出的系统并行加速比公式,对影响系统并行加速性能的原因进行了分析.设计和实现了以该系统模型为核心的多通道闪存存储模块,验证了两级并行方法的可行性和有效性.

主 题 词：闪存存储系统 多通道架构 通道间流水 通道内交织 

学科分类：0810[工学-土木类] 081203[081203] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0835[0835] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0645.2013.08.014

馆 藏 号：203211940...