基于SiGe BiCMOS工艺的X和Ka波段T/R多功能芯片设计

作     者：刘超 唐海林 刘海涛 李强 熊永忠 LIU Chao;TANG Hai-lin;LIU Hai-tao;LI Qiang;XIONG Yong-zhong

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院集成系统实验室成都610054 中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心集成电路研究室成都611731 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2016年第32卷第6期

页      码：35-39页

摘      要：提出了应用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的全集成X和Ka波段T/R多功能芯片。包括5位数控移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的功放集成在收发芯片中,此两款多功能芯片均有着带宽宽、增益高、输出功率大等优点。其中X波段收发芯片接收、发射增益分别达到25 d B、22 d B,发射输出P-1d B达到28 d Bm;Ka波段收发芯片接收、发射增益分别达到17 d B、14 d B,发射输出P-1 d B达到20.5 d Bm。此两款应用硅基工艺设计的多功能芯片指标均达到国际先进水平,为X和Ka波段相控阵系统的小型化和低成本化提供了良好的条件。

主 题 词：多功能芯片 T/R组件 相控阵 SiGe BiCMOS X波段 Ka波段 

学科分类：080903[080903] 080904[080904] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081105[081105] 081001[081001] 081002[081002] 0825[工学-环境科学与工程类] 0811[工学-水利类] 

核心收录：

D　O　I：10.14183/j.cnki.1005-6122.201606009

馆 藏 号：203212027...