乙醇为碳源的低氢常压CVD法制备石墨烯薄膜及其生长机理研究

作     者：李良 付志兵 焦兴利 唐永建 王朝阳 易勇 LI Liang;FU Zhi-bing;JIAO Xing-li;TANG Yong-jian;WANG Chao-yang;YI Yong

作者机构：西南科技大学材料科学与工程学院四川绵阳621010 中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川绵阳621900 

基　　金：中国工程物理研究院重点实验室基金资助项目(9140C680501120C68254) 

出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期：2015年第49卷第3期

页      码：409-414页

摘      要：以乙醇为碳源,采用低氢常压化学气相沉积(CVD)法在铜基底上制备石墨烯薄膜,并将其成功转移至目标基底。通过SEM、Raman、TEM、选区电子衍射等分析发现,所制备的石墨烯薄膜结构完整、质量良好。通过设计实验,观察和分析了石墨烯薄膜生长过程中主要阶段的形貌特征及生长机理。结果表明,乙醇高温分解出的碳原子在铜基底表面聚集形核,形成的原始晶粒逐渐长大为岛状晶畴直至形成树枝状薄片,并在生长过程中跨越铜基底表面晶界,最后形成完整的石墨烯薄膜。

主 题 词：石墨烯薄膜 化学气相沉积法 乙醇 生长机理 

学科分类：08[工学] 0807[工学-电子信息类] 0827[工学-食品科学与工程类] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0801[工学-力学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7538/yzk.2015.49.03.0409

馆 藏 号：203212688...