基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法

作     者：桂立 尹韶云 蔡文涛 孙秀辉 杜春雷 丁学专 

作者机构：中国科学院重庆绿色智能技术研究院集成光电技术研究中心重庆400714 中国科学院上海技术物理研究所红外探测与成像技术重点实验室上海200083 

基　　金：国家自然科学基金(Nos.61475199 61275061) 国家高技术研究发展计划(No.2014AA123202)资助 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2017年第46卷第1期

页      码：176-181页

摘      要：基于精确的LED光源近场模型,提出了一种LED光学扩展量测量方法.通过追迹LED近场光源模型中的光线数据,可获得LED光功率关于光学扩展量的关系曲线,直观反映出LED光源的光学扩展量特性和光能利用率等信息.以紫外曝光系统中的UV-LED阵列面光源为例,对三款不同型号的UV-LED进行了实际测量.通过测量得到的光学扩展量和光能利用率曲线,可以对UV-LED的光束质量作出判断,并为阵列面光源的优化设计提供帮助.

主 题 词：非成像光学 光学扩展量 光源近场 发光二极管 光学设计 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/gzxb20174601.0112004

馆 藏 号：203215801...