基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计

作     者：齐文正 林敏 杨根庆 董业民 黄水根 Qi Wenzheng;Lin Min;Yang Genqing;Dong Yemin;Huang Shuigen

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 

基　　金：中国科学院重点部署项目(KGFZD-135-16-015) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2017年第42卷第3期

页      码：178-183页

摘      要：基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一款适用于无线保真(Wi Fi)收发机的发射端、工作在2.4 GHz且增益可控的三级级联功率放大器。驱动级采用单管结构,后两级采用共源共栅(MOSFET)结构。利用调节共源共栅晶体管栅极的电容来改变栅极电压的相位,进而弥补了共源共栅结构的劣势,增加了整个系统的线性度和增益。另外,使用外部数字信号控制每级偏置的大小来适应不同的输出需求。整个结构采用电源电压:第一级为1.8 V,后两级为3.3 V,芯片面积为1.93 mm×1.4 mm。利用Candence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器进行仿真。结果表明,在2.4 GHz的工作频点,功率放大器的饱和输出功率为24.9 d Bm,最大功率附加效率为22%,小信号增益达到28 d B。

主 题 词：互补金属氧化物半导体(CMOS) 无线保真(WiFi) 功率放大器(PA) 线性度 共源共栅 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.03.004

馆 藏 号：203216013...