碳化硅对高速电弧放电加工SiC/Al的性能影响

作     者：陈吉朋 刘晓 顾琳 CHEN Ji-peng;LIU Xiao;GU Lin

作者机构：上海交通大学机械系统与振动国家重点实验室上海200240 上海航天设备制造总厂上海200245 

基　　金：国家自然科学基金资助(51235007 51575351) 自然科学基金创新群体项目资助(51421092) 机械系统与振动国家重点实验室重点基金资助(MSV201305) 上海市青年科技英才扬帆计划资助(15YF1405300) 

出 版 物：《上海航天》 (Aerospace Shanghai)

年 卷 期：2017年第34卷第1期

页      码：110-115页

摘      要：为研究SiC颗粒对高速电弧放电加工的影响机理,基于高速电弧放电加工(BEAM),对体积分数20%,50%的碳化硅颗粒增强铝基复合材料(SiC/Al)进行了加工对比研究。基于Minitab软件设计了4因子(体积分数、峰值电流、脉冲宽度和脉冲间隔)2水平(低水平和高水平)的部分析因试验,用高速电弧放电加工专用机床研究了不同加工条件下SiC/Al的材料去除率、工具损耗率和表面质量。结果发现在相同加工参数下,体积分数20%,50%的SiC/Al表现出差距悬殊的加工特性,20%的SiC/Al加工效率远高于50%的SiC/Al,且前者的电极损耗率远低于后者,表明SiC体积分数是高速电弧放电加工SiC/Al性能的主导影响因子之一。通过测试及分析,认为SiC区别于基体材料的热传导特性是导致不同体积分数下的SiC/Al表现出不同加工特性的主要原因。

主 题 词：高速电弧放电 SiC/Al 体积分数 加工性能 材料去除率 工具损耗率 表面质量 热传导 

学科分类：08[工学] 0802[工学-机械学] 080201[080201] 

D　O　I：10.19328/j.cnki.1006-1630.2017.01.018

馆 藏 号：203216259...