载流子分布对GaN基LED频率特性的影响（英文）

作     者：吴春晖 朱石超 付丙磊 刘磊 赵丽霞 王军喜 陈宏达 WU Chun-hui ZHU Shi-chao FU Bing-lei LIU Lei ZHAO Li-xia WANG Jun-xi CHEN Hong-da

作者机构：中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中电科电子装备集团有限公司北京100070 

基　　金：国家自然科学基金(11574306) 中国国际科技合作计划(2015AA03A101,2014BAK02B08,2015AA033303)资助项目~~ 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2017年第38卷第3期

页      码：347-352页

摘      要：分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示,通过改变靠近p型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流子分布。有源区内积累的电子会引起负电容效应。而通过降低有源区量子垒的势垒高度,可以改善LED中载流子传输特性,并实现载流子复合速率及通信调制带宽20%的提高。这个工作将有助于理解GaN基LED中载流子分布对频率特性的影响,并为设计适用于可见光通信的大功率高速LED奠定基础。

主 题 词：氮化镓 发光二极管 可见光通信 调制带宽 载流子分布 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0827[工学-食品科学与工程类] 0703[理学-化学类] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 1009[医学-法医学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/fgxb20173803.0347

馆 藏 号：203216316...