主功率端子压接技术在IGBT模块高集成设计中的应用研究

作     者：袁勇 熊辉 黄南 陈燕平 忻力 YUAN Yong;XIONG Hui;HUANG Nan;CHEN Yanping;XIN Li

作者机构：新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001 株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 中车株洲所电气技术与材料工程研究院湖南株洲412001 

出 版 物：《大功率变流技术》 (HIGH POWER CONVERTER TECHNOLOGY)

年 卷 期：2017年第1期

页      码：39-44页

摘      要：文章简要阐述了压接式IGBT模块封装技术原理。为了实现IGBT模块的高度集成,对主功率端子压接工艺对模块阻抗特性、模块并联应用及热性能的影响进行了研究,提出一种IGBT模块主功率端子与衬板压接载流设计方案并介绍了其关键技术。仿真与实验结果验证了主功率端子压接技术在IGBT模块产品开发及应用中的有效性。

主 题 词：IGBT模块 压接 阻抗分布 参数一致性 热性能 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13889/j.issn.2095-3631.2017.01.008

馆 藏 号：203216424...