金刚石薄膜上的高频高功率声表面波滤波器

作     者：高杨 陈营端 白竹川 席仕伟 郑英彬 

作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900 西南科技大学信息工程学院四川绵阳621010 西南科技大学制造科学与工程学院四川绵阳621010 

基　　金：中国工程物理研究院科技发展基金重点课题(2008A0403016 2010A0302013) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2011年第32卷第4期

页      码：474-477,483页

摘      要：设计了一种Si基金刚石薄膜上的SAW RF MEMS滤波器,其中心频率为400MHz,叉指换能器(IDT)线宽为5μm。采用中物超硬材料公司定制的硅基金刚石薄膜基片,利用射频溅射方法在金刚石薄膜上制备了厚度为2μm的ZnO压电薄膜,XRD分析证明其具有良好的C轴取向。采用剥离工艺制备IDT,通过精细的工艺控制,得到了设计的IDT图形。最后,对该滤波器样品进行了封装和测试。测试结果表明,其中心频率为378MHz,插损为15.9dB。

主 题 词：射频微机械系统 声表面波 金刚石薄膜 压电薄膜 叉指换能器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2011.04.007

馆 藏 号：203216939...