Cd在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能

作     者：刘洪涛 桑文斌 李万万 张斌 闵嘉华 詹峰 曹泽淳 Liu Hongtao;Sang Wenbin;Li Wanwan;Zhang Bin;Min Jiahua;Zhan Feng;Cao Zechun

作者机构：上海大学电子信息材料系上海200072 

基　　金：国家自然科学基金项目(10175040) 上海市科委重大项目(03DZ11006) 上海市教委基金(02AK30) 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2006年第35卷第10期

页      码：1577-1580页

摘      要：为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(–2.38eV/kT)(873K^1073K),其中扩散激活能QCd为2.38eV。

主 题 词：Cd0.9Zn0.1Te(CZT) 有效扩散系数DCd 扩散激活能Qcd 数值拟合 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 0806[工学-电气类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.12442/j.issn.1002-185X.006.35.10.15771580

馆 藏 号：203217053...