基于ECC校验码的存储器可扩展自修复算法设计

作     者：任秀江 谢向辉 施晶晶 REN Xiu-jiang;XIE Xiang-hui;SHI Jing-jing

作者机构：江南计算技术研究所江苏无锡214083 数学工程与先进计算国家重点实验室江苏无锡214125 

出 版 物：《计算机工程与科学》 (Computer Engineering & Science)

年 卷 期：2017年第39卷第2期

页      码：252-257页

摘      要：随着微电子工艺的不断进步,SoC芯片设计中SRAM所占面积越来越大,SRAM的缺陷率成为影响芯片成品率的重要因素。提出了一种可扩展的存储器自修复算法(S-MBISR),在对冗余的SRAM进行修复时,可扩展利用存储器访问通路中校验码的纠错能力,在不改变SRAM结构的前提下能够进一步提高存储器的容错能力,进而提高芯片成品率。最后对该算法进行了RTL设计实现。后端设计评估表明,该算法能够工作在1GHz频率,面积开销仅增加1.5%。

主 题 词：MBSIR MBIST ECC 

学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-130X.2017.02.005

馆 藏 号：203217474...