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12×10Gb/s CMOS并行光接收机前置放大器阵列设计

12×10Gb/s CMOS并行光接收机前置放大器阵列设计

作     者:何子玮 王志功 HE Zi-wei;WANG Zhi-gong

作者机构:东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

基  金:国家863计划(2007AA01Z2a5)资助 

出 版 物:《光通信技术》 (Optical Communication Technology)

年 卷 期:2009年第33卷第8期

页      码:5-7页

摘      要:采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种12路并行、每路工作速率为10Gb/s的光接收机前置放大器阵列,应用于高速芯片间的光互连。整个电路通过1.8V电压供电,采用RGC结构和有源电感并联峰化技术,单路中频跨阻增益为47.1dBΩ,-3dB带宽为8.9GHz。芯片工作时总的传输速率为120Gb/s。

主 题 词:并行光接收机 CMOS工艺 前置放大器阵列 串扰抑制 跨阻放大器 

学科分类:08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1002-5561.2009.08.002

馆 藏 号:203217507...

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