超低温漂带隙基准电压源设计

作     者：陆锋 葛兴杰 LU Feng;GE Xingjie

作者机构：江南大学物联网工程学院江苏无锡214122 中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214072 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2017年第17卷第3期

页      码：22-25页

摘      要：在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前IC设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带隙基准电压源电路。该电路带有启动电路和高阶温度补偿电路。仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内获得了1.65×10-6/℃的温漂系数,低频时的电源抑制比达到-62 d B。

主 题 词：高阶温度补偿 低温漂系数 高电源抑制比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0032

馆 藏 号：203217959...