基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器

作     者：王斌 田兵 汪春霆 WANG Bin;TIAN Bing;WANG Chun-Ting

作者机构：中国电子科技集团公司第54研究所河北石家庄050081 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)(2015AA015701)~~ 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2017年第36卷第1期

页      码：114-119页

摘      要：单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比,尽量增大薄膜电阻的面积,并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板,提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真,加工的实物经过测试在25~34 GHz插入损耗小于0.2 d B,回波损耗优于-15 d B,隔离度优于10 d B.经对比,实测结果与仿真结果吻合,具有较好的工程应用价值.

主 题 词：Ka频段 功率分配/合成器 波导E-T结 薄膜电阻 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11972/j.issn.1001-9014.2017.01.020

馆 藏 号：203218015...