SiC外延炉加热系统的设计

作     者：陈特超 林伯奇 龙长林 肖慧 胡凡 程文静 丁杰钦 杨一鸣 龚杰洪 CHEN Techao;LIN Boqi;LONG Changlin;XIAO Hui;HU Fan;CHENG Wenjing;DING Jieqin;YANG Yiming;GONG Jiehong

作者机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙410111 

基　　金：国家高新技术发展计划(863计划)资助项目(2014AA041401) 

出 版 物：《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)

年 卷 期：2017年第46卷第1期

页      码：4-7,34页

摘      要：碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟。简要介绍了SiC外延生长设备中加热器的设计方法、温度控制以及温度均匀性调节方法,通过实验验证了温度均匀性及控制精度。

主 题 词：碳化硅 外延生长 加热器 线圈 温度曲线 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-4507.2017.01.003

馆 藏 号：203218113...