SOI MOSFET背栅总剂量辐射效应电流模型

作     者：黄建强 何伟伟 陈静 罗杰馨 HUANG Jian-qiang;HE Wei-wei;CHEN Jing;LUO Jie-xin

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 

基　　金：国家自然科学基金(61404151 61574153) 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2017年第25卷第5期

页      码：142-145,149页

摘      要：基于SOI CMOS技术的抗辐射电路设计存在开发周期长、测试费用昂贵的问题。针对这一难点,本文通过对总剂量辐射效应机理的分析,提出了一种背栅总剂量效应电流模型。模型验证结果表明,该背栅总剂量模型仿真结果能高度吻合测试结果,模型能够给电路设计者提供可靠的仿真结果,缩短抗辐射电路开发周期,具有实用意义。

主 题 词：SOI MOSFET 总剂量效应 背栅晶体管 电流模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14022/j.cnki.dzsjgc.2017.05.034

馆 藏 号：203218157...