ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用

作     者：饶岚 忻向军 李灯熬 王任凡 胡海 Rao Lan;Xin Xiangjun;Li Deng'ao;Wang Renfan;Hu Hai

作者机构：北京邮电大学电子工程学院北京100876 太原理工大学信息工程学院山西太原030024 武汉电信器件有限公司湖北武汉430074 深圳清华大学研究院广东深圳518000 

基　　金：国家高技术研究发展计划(2015AA016901) 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2017年第54卷第3期

页      码：194-199页

摘      要：研究了CH_4/H_2/Cl_2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH_4/H_2/Cl_2气体流量及流量比的优化,在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上,实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法。基于优化后的工艺参数制作了多周期结构的λ/4相移光栅,实现了单片集成的四波长1.3μm分布反馈式激光器阵列。该激光器阵列中激光器的阈值电流典型值为11mA,外微分效率可达0.40 W/A,且实现了边摸抑制比大于46dB的稳定的单纵模激光输出。研究结果表明优化后的ICP光栅刻蚀工艺具有良好的刻蚀精度和可靠性。

主 题 词：激光器 分布反馈式激光器阵列 感应耦合等离子体刻蚀 InP/InGaAlAs 片上集成 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/lop54.031405

馆 藏 号：203218611...