薄膜沉积反应腔室多场建及轮廓调控方法研究

作     者：夏焕雄 汪劲松 向东 

作者机构：清华大学 

出 版 物：《机械工程学报》 (Journal of Mechanical Engineering)

年 卷 期：2017年第53卷第6期

页      码：79-79页

摘      要：薄膜沉积工艺是半导体制造、MEMS、表面工程等领域的基础工艺。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是重要的薄膜沉积工艺方法之一,其工艺系统涉及复杂多场耦合及化学反应过程。目前PECVD反应腔室设计与工艺调控的研究普遍依赖经验试错与大量的工艺参数试验,不仅需要大量的时间与物力成本,且复杂的工艺过程没有得到揭示。实质上,设备的工艺参数是影响薄膜沉积工艺性能的表象因素,其深层次的因素是物质、能量的空间分布（称之为工艺因素轮廓）。

主 题 词：薄膜沉积 应腔 调控方法 表面工程 PECVD 化学反应过程 半导体制造 参数试验 试错 氮化硅薄膜 

学科分类：081702[081702] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

核心收录：

馆 藏 号：203218638...