850nm垂直腔面发射激光器结构优化与制备

作     者：冯源 郝永芹 王宪涛 刘国军 晏长岭 张家斌 李再金 李洋 Feng Yuan;Hao Yongqin;Wang Xiantao;Liu Guojun;Yan Changling;Zhang Jiabin;Li Zaijin;Li Yang

作者机构：长春理工大学高功率半导体激光国防科技国家重点实验室吉林长春130022 

基　　金：国家自然科学基金(11474038 61376045) 长春理工大学基金(XJJLG-2015-10) 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2017年第44卷第3期

页      码：41-48页

摘      要：根据分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,优化量子阱(QW)和DBR结构,采用Crosslight计算机模拟软件模拟了垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的反射谱和QW增益谱,确定QW组分、厚度以及DBR的对数。采用分子束外延技术外延生长并制备了850nm顶发射VCSEL。测试结果表明,阱宽为5nm的In_(0.075)Ga_(0.925)As/Al_(0.35)Ga_(0.65)As QW,在室温下激射波长在840nm左右,设计的顶发射VCSEL结构通过Ocean Optics Spectra Suite软件验证,得到室温下的光谱中心波长在850nm附近,证实了结构设计的正确性。

主 题 词：激光器 垂直腔面发射激光器 量子阱 分布布拉格反射镜 反射率 850nm 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/CJL201744.0301005

馆 藏 号：203218829...