Cu/SiO_2结构单元在阻变效应中形成导电通道的模型分析

作     者：罗劲明 LUO Jin-ming

作者机构：嘉应学院物理与光信息科技学院梅州514015 

基　　金：广东省自然科学基金博士科研启动项目(2014A030310410)资助 

出 版 物：《科学技术与工程》 (Science Technology and Engineering)

年 卷 期：2017年第17卷第9期

页      码：103-106页

摘      要：通过建立一个模型,简单地讨论了Cu/SiO_2结构单元在阻变效应中形成导电通道的临界电压特性。该模型考虑了Cu离子在SiO_2薄膜的迁移扩散和Cu离子在薄膜内引起的空间电荷效应,同时考虑了电子电导机制。模型的计算表明,薄膜的结构参数(厚度、电极功函数、掺杂等)对导电通道的形成过程有很大的影响,其临界电压随薄膜厚度和电极功函数的增加而增大,而随Cu离子掺杂浓度增大而减小。这一结果对未来存储器件的性能设计和制造具有一定的指导意义。

主 题 词：SiO2 导电通道 阻变 击穿 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-1815.2017.09.017

馆 藏 号：203218838...