吸收层特性和异质结界面电荷对12.5μm长波HgCdTe光伏探测器响应率的影响研究

作     者：胡伟达 殷菲 叶振华 全知觉 胡晓宁 李志锋 陈效双 陆卫 

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60576068 60706012 10734090 10747162) 上海-应用材料研究与发展基金(批准号:08520740600) 航空科学基金(批准号:20080190001)资助的课题~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2009年第58卷第11期

页      码：7891-7896页

摘      要：研究了12.5μm长波HgCdTe探测器的吸收层厚度和异质结界面电荷对器件光响应率的影响.分析了吸收层厚度与吸收长度、扩散长度之间的联系,获得了设计最佳吸收层厚度的经验公式.研究结果显示入射光波长超过截止波长时,响应率随吸收层厚度增加单调增加,并逐渐饱和.响应率峰值对应的波长随吸收层厚度增加,有向长波偏移的趋势.最佳吸收层厚度值随少子寿命或入射光波长的增大而增大.同时,研究了衬底、钝化层与HgCdTe材料之间异质界面电荷对光响应率的影响,发现正的界面电荷在衬底异质结界面处形成诱导pn结,对响应率影响显著.采用金属-氧化物-半导体二极管模型,分析了其中的内在物理机理,并获得了降低其影响的优化方案.

主 题 词：长波HgCdTe器件 光伏型红外探测器 光响应率 少子寿命 

学科分类：080903[080903] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0704[理学-天文学类] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.58.7891

馆 藏 号：203219050...