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SiC MOSFET高频感应加热电源系统研究

SiC MOSFET高频感应加热电源系统研究

作     者:彭咏龙 江涛 李亚斌 史孟 PENG Yonglong;JIANG Tao;LI Yabin;SHI Meng

作者机构:华北电力大学电气与电子工程学院河北保定071003 

出 版 物:《电气传动》 (Electric Drive)

年 卷 期:2017年第47卷第3期

页      码:70-73页

摘      要:采用新型功率开关器件SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),利用多器件并联和多逆变桥并联的扩容方式完成了800 kHz/150 kW高频大功率感应加热电源的系统研制。设计了易实现且实用性较强的SiC MOSFET驱动电路,提出带延时补偿调整的锁相控制策略,并对直流过流检测保护电路和失锁检测保护电路进行了设计。试验结果表明了所设计的感应加热电源能够实现安全可靠运行。

主 题 词:金属氧化物半导体场效应晶体管 感应加热 驱动电路 锁相控制 保护 

学科分类:080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D O I:10.19457/j.1001-2095.20170315

馆 藏 号:203219139...

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