基于MOSFET的纳秒级全固态脉冲源设计

作     者：李玺钦 吴红光 栾崇彪 肖金水 谢敏 李洪涛 马成刚 Li Xiqin;Wu Hongguang;Luan Chongbiao;Xiao Jinshui;Xie Min;Li Hongtao;Ma Chenggang

作者机构：中国工程物理研究院流体物理研究所脉冲功率科学与技术重点实验室四川绵阳621900 

基　　金：国家自然科学基金项目(61504127) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2017年第29卷第4期

页      码：82-86页

摘      要：采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源。设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式。在重复频率1Hz^1kHz、充电电压4kV、负载阻抗为1kΩ条件下,可实现输出幅度大于20kV、前沿小于10ns且脉宽大于100ns的高压快脉冲。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率(1kHz)触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果。

主 题 词：功率MOSFET 纳秒级前沿 半导体固态开关 全固态 Marx发生器 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080803[080803] 08[工学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11884/HPLPB201729.160475

馆 藏 号：203219286...