一种共面波导的统一物理模型

作     者：盛心懿 丁博文 赵辰 袁圣越 田彤 SHENG Xin-yi;DING Bo-wen;ZHAO Chen;YUAN Sheng-yue;TIAN Tong

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感网与通信重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2017年第25卷第8期

页      码：87-91页

摘      要：共面波导因其优越的性能,在毫米波电路设计中得到广泛应用。本文提出了一种基于工艺和物理尺寸参数的,综合考虑各种高频寄生效应,针对不同结构共面波导的统一物理模型。该模型包括由R-L阶梯组成的串联部分和由电容、C-R-C支路和C-L-R支路组成的并联部分。基于UMC 65 nm CMOS工艺设计和测试了3种不同结构的共面波导,结果显示所建立的模型仿真得到的S参数和特征参数与测试结果相吻合。

主 题 词：CMOS 共面波导 统一物理模型 高频寄生效应 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14022/j.cnki.dzsjgc.2017.08.021

馆 藏 号：203222829...