0.35μm CMOS工艺的品质因数时域测量电路

作     者：任小娇 张明 LLASER Nicolas 越柏鹤 庄奕琪 REN Xiaojiao ZHANG Ming LLASER Nicolas YUE Baihe ZHUANG Viqi

作者机构：西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 基础电子研究所巴黎第十一大学巴黎萨克雷大学奥赛91405 

出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)

年 卷 期：2017年第44卷第2期

页      码：75-80页

摘      要：基于品质因数的时域测量方法,提出了一种新的可以片上集成的品质因数测量电路,不仅在特定频率能实现品质因数的精确测量,还可在保持电路精度的前提下,覆盖一定待测信号的频带.在采用之前提出的可重构电路的基础上,改进了峰值探测器的补偿方式,进行了系统精度和扩频所需的理论分析,有效指导了电路的设计.另外,数字控制逻辑的改进,将总功耗降低7.5%.并通过集成电路的方式在0.35μm CMOS工艺下实现此电路,在电源电压为5V,输入信号频率为1MHz的条件下,实现品质因数的相对误差小于±0.2%,并且在精度不变的情况下,将待测信号的频段扩展到100kHz^1.5MHz.

主 题 词：品质因数 时域测量 片上 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-2400.2017.02.014

馆 藏 号：203223326...