GaAs MESFET大信号S参数仿真

作     者：骆建军 邓先灿 孙国恩 

作者机构：杭州电子工业学院微电子CAE研究所 

基　　金：军事电子应用基础研究重点课题的经费支助 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：1993年第9卷第4期

页      码：42-47页

摘      要：本文从砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAsMESFET)大信号模型出发,采用谐波平衡法书出稳态解,获得了大信号S参数。所开发的软件可同时获得大小信号S参数,并在同一Smith圆图上显示出来,也可进行增益压缩等特性的分析。该软件已和参数提取、电路分析软件串成一体实现了从GaAs材料器件物理参数出发直接设计出微波单片集成电路(MMIC)的新思路。

主 题 词：砷化镓 S参数 仿真 MESFET 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203223833...