GaN系半导体材料生长的MOCVD控制系统设计与实现

作     者：赵恒 杜凯 ZHAO Heng;DU Kai

作者机构：西安电子科技大学机电工程学院陕西西安710071 

基　　金：陕西省自然基金资助项目(2004F29) 陕西省科学技术研究计划项目(2004K05-G1) 

出 版 物：《陕西理工学院学报（自然科学版）》 (Journal of Shananxi University of Technology:Natural Science Edition)

年 卷 期：2005年第21卷第3期

页      码：28-32页

摘      要：针对MOCVD系统工艺及控制要求,设计了MOCVD控制系统。采用PLC作为核心控制器,负责各类输入输出信号的控制,进行数据处理,控制半导体材料生长。同时采用W inCC组态软件设计上位监控系统。经过近一年运行,MOCVD控制系统运行状况良好,控制系统具有高可靠性、抗干扰能力强、控制精度高等特点,满足系统控制要求,保证了材料生长顺利进行。

主 题 词：金属有机化合物化学气相淀积 可编程控制器 渐变控制 温度控制 

学科分类：08[工学] 0802[工学-机械学] 0835[0835] 080201[080201] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1673-2944.2005.03.009

馆 藏 号：203224168...