飞兆推出新低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列

出 版 物：《电源技术应用》 (Power Supply Technologles and Applications)

年 卷 期：2006年第9卷第10期

页      码：78-78页

摘      要：飞兆半导体开发出新的低导通阻抗600V SuperFET MOSFET器件系列，专为满足最新的超纤小型镇流器应用的DPAK（TO-252）器件需求而设计。飞兆半导体DPAK判装的SuperFET器件的导通阻抗仅为传统Planar型平坦化MOSFET的三分之一（0．6-1．20hm），能将满足高频照明系统设计的系统效率需求且将开关和传导损耗减至最小，并满足这些快速转换的照明设计的系统效率要求。

主 题 词：MOSFET器件 SuperFET 导通阻抗 照明系统设计 飞兆半导体 系统效率 传导损耗 照明设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203224447...