1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计

作     者：彭红玲 韩勤 杨晓红 牛智川 Peng Hong-Ling;Han Qin;Yang Xiao-Hong;Niu Zhi-Chuan

作者机构：中国科学院半导体研究所北京100083 

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036603) 国家重点基金资助项目(批准号:60137020) 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312080)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2007年第56卷第2期

页      码：863-870页

摘      要：结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3μm量子点VCSEL结构.

主 题 词：量子点 垂直腔面发射激光器 微分增益 3曲带宽 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.56.863

馆 藏 号：203224532...