低功耗CMOS神经束功能电激励信号产生电路(英文)

作     者：李文渊 王志功 张震宇 Li Wenyuan;Wang Zhigong;Zhang Zhenyu

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:90377013) 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第3期

页      码：393-397页

摘      要：采用华润上华微电子公司0.6μmCMOS工艺设计了低功耗神经功能电激励集成电路.该电路适用于以卡肤电极作为激励电极的可植入式神经信号桥接系统,可以用来激励脊椎动物的脊髓神经或其他神经束.电路包括输入级差分预放大电路、增益级放大电路和输出电路.为满足体内植入式神经功能电激励的要求,该集成电路避免使用任何片外元件,实现了单片集成.根据神经信号的特点,神经功能激励电路的频率响应带宽设计为1Hz^400kHz,输出电阻为90Ω时的增益为66dB,可以在3~5V的工作电压下正常工作.采用满摆幅输出级提高了有效的激励电压输出.测试结果表明,电路的带宽和增益符合设计要求,直流功耗低于6mW,达到了设计目标.

主 题 词：神经信号 CMOS 功能激励 低功耗 神经 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.03.014

馆 藏 号：203224546...