低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计

作     者：应建华 陈嘉 王洁 Ying Jianhua;Chen Jia;Wang Jie

作者机构：华中科技大学电子科学与技术系武汉430074 

基　　金：湖北省信息产业专项资金资助项目(批准号:05060)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第6期

页      码：975-979页

摘      要：提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB.

主 题 词：基准电压源 低功耗 电源抑制比 自偏置有源负载放大器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.06.030

馆 藏 号：203224617...