一种低功耗全CMOS电压基准电路的设计

作     者：李书艳 马建军 高明明 罗志勇 

作者机构：辽宁工程技术大学电子与信息工程学院辽宁葫芦岛125105 辽宁锦州华光电力电子集团公司高可靠产品研究所辽宁锦州121001 

出 版 物：《科技信息》 (Science & Technology Information)

年 卷 期：2009年第7期

页      码：107-107,132页

摘      要：提出一种低功耗全CMOS电压基准电路,它是根据NMOS载流子迁移率与阈值电压互补的温度效应原理产生的电压基准。采用0.5μmn阱硅栅工艺模型,通过Hspice软件对电路进行了仿真,在-20～+100℃温度范围内温度系数为33ppm/℃,电路工作在3～5V电压下,静态功耗仅为10.5μA。

主 题 词：电压基准 温度系数 静态功耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-9960.2009.07.382

馆 藏 号：203225361...