基于MEMS工艺的半导体电阻式气敏元件的研究

作     者：任继文 唐晓红 REN Ji-wen;TANG Xiao-hang

作者机构：华东交通大学机电工程学院江西南昌330013 

基　　金：江西省自然科学基金项目(2008GZC0055) 江西省教育厅科技项目(GJJ09209) 

出 版 物：《仪表技术与传感器》 (Instrument Technique and Sensor)

年 卷 期：2010年第1期

页      码：4-6页

摘      要：介绍了半导体电阻式气敏元件工作原理,设计了一种基于MEMS工艺的薄膜气敏元件结构,此结构以Si3N4/SiO2/Si3N4复合薄膜作为支撑隔热层,蜿蜒状多晶硅作为加热层,梳状Ag电极作为气敏薄膜信号电极,SiO2作为加热层与Ag电极的绝缘层,并在SiO2绝缘层上刻蚀通孔形成加热层与金属互连。该结构具有通用性,对不同气敏特性的材料均适用,且易于改进为组合结构或阵列结构。最后,对其工艺进行了阐述。

主 题 词：气敏元件 MEMS工艺 半导体 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-1841.2010.01.002

馆 藏 号：203225655...