一种全MOS型超低功耗基准电压源设计

作     者：周勇 胡刚毅 沈晓峰 胡云斌 顾宇晴 陈遐迩 ZHOU Yong HU Gangyi SHEN Xiaofeng HU Yunbin GU Yuqing CHEN Xiaer

作者机构：重庆大学重庆400044 模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2017年第47卷第2期

页      码：164-167页

摘      要：在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55℃~125℃,该基准源的温度系数为2.67×10^(-5)/℃,电源抑制比为-45.42dB@100Hz,功耗为105.96nW。

主 题 词：全MOS带隙基准源 超低功耗 低温度系数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2017.02.006

馆 藏 号：203226890...