全息光刻制备808nm分布反馈半导体激光器的光栅

作     者：刘丹丹 王勇 叶镇 高占琦 张屿 王晓华 Liu Dandan;Wang Yong;Ye Zhen;Gao Zhanqi;Zhang Yu;Wang Xiaohua

作者机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 

基　　金：国家自然科学基金(11474036) 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2015年第42卷第2期

页      码：48-52页

摘      要：实验优化设计了808 nm分布反馈(DFB)半导体激光器的二级布拉格光栅结构,介绍了808 nm DFB半导体激光器光栅制备的工艺过程。采用全息光刻方法和湿法腐蚀技术在Ga As衬底片上制备了周期为240 nm的光栅图形,全息光刻系统采用条纹锁定技术降低条纹抖动和提高干涉稳定性,腐蚀液中H3PO4、H2O2和H2O的体积比为1:1:10,腐蚀时间为30 s。光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试显示,光栅周期为240 nm,占空比为0.25,深度为80 nm,具有完美的表面形貌及良好的连续性和均匀性。

主 题 词：激光器 半导体激光器 分布反馈 光栅 全息光刻 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/cjl201542.0202008

馆 藏 号：203228071...