工艺参数对反应磁控溅射TiN薄膜硬度的影响

作     者：张剑 林晓炜 韩晓 娄长胜 张罡 ZHANG Jian;LIN Xiaowei;HAN Xiao;LOU Changsheng;ZHANG Gang

作者机构：沈阳理工大学材料科学与工程学院辽宁沈阳110159 沈阳奇汇真空技术有限公司辽宁沈阳110083 

出 版 物：《沈阳理工大学学报》 (Journal of Shenyang Ligong University)

年 卷 期：2015年第34卷第6期

页      码：20-23页

摘      要：采用反应磁控溅射工艺,在W18Cr4V高速钢基片上制备TiN薄膜;运用正交设计方法选取工艺参数,研究溅射电流、N_2流量、Ar流量、负偏压等工艺参数对TiN薄膜硬度的影响;并进一步研究了负偏压对薄膜硬度影响。结果表明,各参数对硬度的影响次序由大到小依次为:负偏压、N_2流量、溅射电流、Ar流量。当负偏压小于100V时,负偏压可增加离子对基片的轰击作用,提高致密度,从而提高薄膜硬度;当负偏压大于100V时,过强的离子轰击使薄膜产生更多的缺陷,使薄膜硬度降低。

主 题 词：TiN薄膜 硬度 正交实验 负偏压 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-1251.2015.06.005

馆 藏 号：203228395...