功率MOSFET隔离驱动电路设计分析

作     者：赵敏 张东来 李铁才 王子才 ZHAO Min;ZHANG Dong-lai;LI Tie-cai;WANG Zi-cai

作者机构：哈尔滨工业大学.黑龙江哈尔滨150001 深圳航天科技创新研究院广东深圳518057 哈尔滨工业大学深圳研究生院广东深圳518055 

基　　金：深圳市科技创新计划项目(JCYJ201404251136-37530)~~ 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2016年第50卷第2期

页      码：81-83页

摘      要：半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10~100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达1~10 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。

主 题 词：金属氧化物半导体场效应晶体管 隔离驱动 边沿触发 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-100X.2016.02.025

馆 藏 号：203228477...