不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

作     者：林致远 马骏 林亮 杨成绍 邹志翔 黄寅虎 文锺源 王章涛 

作者机构：合肥鑫晟光电科技有限公司安徽合肥230012 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2016年第31卷第5期

页      码：460-463页

摘      要：本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_(on)7%、降低SS 3%、同时对I_(off)以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性。

主 题 词：高开口率高级超维场转换技术 非晶硅 薄膜电晶体 双栅极 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.3788/yjyxs20163105.0460

馆 藏 号：203228554...