基于SIMOX材料的可集成高压器件研究

作     者：赵川 卓碧华 ZHAO Chuan;ZHUO Bi-hua

作者机构：武警成都指挥学院 

出 版 物：《西南民族大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southwest Minzu University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2009年第35卷第3期

页      码：622-625页

摘      要：通过增加一次高压注入,对0.8μm SOI CMOS工艺平台进行智能电压扩展.在SIMOX材料上设计并实现了兼容该工艺的横向高压器件,实现了低压CMOS与高压LDMOS的单片集成.在硅膜厚度为205nm、埋氧层厚度为375nm的SIMOX材料上,研制出阈值电压、击穿电压分别为1.3V、38V的高压LDMOS.此高低压兼容SOI技术可将高低压器件单片集成,节约了芯片成本,提高了可靠性.

主 题 词：SOI SIMOX 辐射 高压 LDMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-2843.2009.03.057

馆 藏 号：203228688...