电路抗老化设计中基于门优先的关键门定位方法

作     者：范磊 梁华国 易茂祥 朱炯 郑旭光 FAN Lei LIANG Huaguo YI Maoxiang ZHU Jiong ZHENG Xuguang

作者机构：合肥工业大学计算机与信息学院合肥230009 合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥230009 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61274036) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2017年第47卷第2期

页      码：258-263页

摘      要：随着CMOS工艺尺寸不断缩小,尤其在65nm及以下的CMOS工艺中,负偏置温度不稳定性(NBTI)已经成为影响CMOS器件可靠性的关键因素。提出了一种基于门优先的关键门定位方法,它基于NBTI的静态时序分析框架,以电路中老化严重的路径集合内的逻辑门为优先,同时考虑了门与路径间的相关性,以共同定位关键门。在45nm CMOS工艺下对ISCAS基准电路进行实验,结果表明:与同类方法比较,在相同实验环境的条件下,该方法不仅定位关键门的数量更少,而且对关键路径的时延改善率更高,有效地减少了设计开销。

主 题 词：负偏置温度不稳定性 关键门 抗老化 静态时序分析 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.2017.02.027

馆 藏 号：203228975...