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半导体阵列微剂量探测器前端读出电路设计

半导体阵列微剂量探测器前端读出电路设计

作     者:袁媛 刘书焕 龙彪 刘晓波 李浩伟 张国和 杜雪成 贺朝会 YUAN Yuan LIU Shu- huan LONG Biao LIU Xiao- bo LI Hao- wei ZHANG Guo - he DU Xue - cheng FIE Chao - hui

作者机构:西安交通大学西安710049 

基  金:国家自然科学基金资助项目(11175139 11575139) 

出 版 物:《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期:2016年第36卷第12期

页      码:1187-1191页

摘      要:根据三维Si SOI PIN像素微剂量探测器特性参数,设计了一种基于GF chrt018IC CMOS工艺的前端读出电路。该读出电路主要包括PMOS输入的电荷灵敏前前置放大器,有源整形滤波电路,电压比较器及基准电流源等,可实现对微剂量信号的放大、滤波降噪、甄别输出等功能。仿真测试表明:能量探测范围为5~500 fC,单通道功耗约为2 mW,总噪声性能为0.05 f C+1.6×10^(-3)fC/pF。

主 题 词:微剂量探测器 电荷灵敏前放(CSA) SOI 专用集成电路 

学科分类:082704[082704] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0804[工学-材料学] 0827[工学-食品科学与工程类] 0703[理学-化学类] 1009[医学-法医学类] 0702[理学-物理学类] 

D O I:10.3969/j.issn.0258-0934.2016.12.001

馆 藏 号:203230448...

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