1064nm高反射膜的PECVD法制备及其抗激光损伤性能

作     者：杨陈 杭凌侠 李林军 郭峰 Yang Chen;Hang Lingxia;Li Linjun;Guo Feng

作者机构：西安工业大学光电工程学院陕西西安710021 陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室陕西西安710021 

基　　金：陕西省教育厅重点实验室科研计划资助项目(项目编号:16JS037) 

出 版 物：《应用激光》 (Applied Laser)

年 卷 期：2017年第37卷第2期

页      码：288-291页

摘      要：采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氮化硅(SiNx)和含氟氧化硅(SiOxFy)薄膜,探讨了薄膜材料的最佳制备工艺参数,明确了薄膜光学特性与气体流量、射频功率、反应压强等制备工艺参数的关系;设计并制备了1 064nm高反射膜,并与PVD法制备的Ta_2O_5/SiO_2高反膜进行对比,结果表明,其反射率在99.0%左右时,PECVD法制备的高反膜具有较高的抗激光损伤阈值,约为PVD法的2倍。

主 题 词：薄膜 PECVD 高反膜 损伤阈值 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.14128/j.cnki.a1.20173702.288

馆 藏 号：203230619...