16 Gb/s GaN数模转换器芯片

作     者：张有涛 孔月婵 张敏 周建军 张凯 ZHANG Youtao;KONG Yuechan;ZHANG Min;ZHOU Jianjun;ZHANG Kai

作者机构：微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2017年第37卷第2期

页      码：F0003-F0003页

摘      要：南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）0．1μm GaN工艺，采用f1／fmax分别为100GHz／165GHz的耗尽型晶体管设计，首次研制出16Gb／s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1．20mm×0．15mm。

主 题 词：DAC芯片 b/s GaN 数模转换器 南京电子器件研究所 晶体管设计 耗尽型 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081002[081002] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.02.016

馆 藏 号：203231027...