X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

作     者：彭龙新 李真 徐波 凌志健 李光超 彭劲松 PENG Longxin;LI Zhen;XU Bo;LING Zhijian;LI Guangchao;PENG Jinsong

作者机构：微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2017年第37卷第2期

页      码：99-102,139页

摘      要：在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。

主 题 词：微波单片集成电路 GaAs PIN 大功率限幅器 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2017.02.006

馆 藏 号：203231058...