微波场板GaN HEMTs大信号特性及其模型研究

作     者：汪昌思 徐跃杭 闻彰 陈志凯 赵晓冬 徐锐敏 WANG Chang-si;XU Yue-hang;WEN Zhang;CHEN Zhi-kai;ZHAO Xiao-dong;XU Rui-min

作者机构：电子科技大学电子工程学院成都611731 

基　　金：国家自然科学基金(61474020) 

出 版 物：《电子科技大学学报》 (Journal of University of Electronic Science and Technology of China)

年 卷 期：2017年第46卷第3期

页      码：485-491页

摘      要：针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型。该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大信号负载阻抗的影响等。在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaN HEMTs器件,在0~40 GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、输出功率(Pout)、增益(Gain)和功率附加效率(PAE)等参数;为成功地完成电路设计,提供了较为精确的电热大信号模型。

主 题 词：场板 氮化镓 大信号模型 自热效应 热阻 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0548.2017.03.002

馆 藏 号：203231725...