基于GaAs HBT工艺的动态分频器的研究与设计

作     者：梁方建 闫广涛 卢震 LIANG Fang-jian;YAN Guang-tao;LU Zhen

作者机构：国网商丘供电公司河南商丘476000 天津大学天津300072 

基　　金：国家自然科学基金(51190103) 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2017年第25卷第9期

页      码：125-127,131页

摘      要：针对静态分频器工作频率越高功耗越大的问题,本文采用GaAs HBT工艺研究设计了高性能动态分频器。通过对动态分频器结构进行研究,采用有源负载代替传统的电阻负载,提高了分频器工作的频率。同时对动态分频器进行电路设计,并对其进行仿真,得出其分频范围为9~15 GHz,具有良好的输入灵活度,功耗仅为130.26m W,满足设计要求。

主 题 词：分频器 GaAsHBT 锁相环 直流功耗 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.14022/j.cnki.dzsjgc.2017.09.032

馆 藏 号：203231769...