p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究

作     者：郑君 周伟松 胡冬青 刘道广 何仕均 许军 Zheng Jun;Zhou Weisong;Hu Dongqing;Liu Daoguang;He Shijun;Xu Jun

作者机构：清华大学核能与新能源技术研究院北京100084 北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 清华大学微电子学研究所北京100084 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60820106001) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第12期

页      码：905-909,928页

摘      要：借助半导体仿真工具Silvaco中所提供的工艺摸拟器(Athena)和器件摸拟器(Atlas),及L-Edit版图设计工具,设计了一款击穿电压高于-90 V、阈值电压为-4 V的p沟VDMOS器件。经实际流片测试,器件的导通电阻小于200 m!,跨导为5 S,栅-源泄漏电流和零栅电压时的漏-源泄漏电流均在纳安量级水平,二极管正向压降约为-1 V。采用2-D器件仿真方法以及相关物理模型对所设计的p沟VDMOS器件的单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅击穿(SEGR)效应进行了分析和研究,并通过对所获得的器件样片采用钴-60"射线源进行辐照实验,研究了在一定剂量率、不同总剂量水平条件下辐照对所研制的p沟VDMOS器件相关电学参数的影响情况。

主 题 词：p沟VDMOS 单粒子烧毁 单粒子栅击穿 辐照 线性能量转移 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2011.12.002

馆 藏 号：203232277...