CMOS器件受静电损伤的机理及保护

作     者：赵智超 吴铁峰 

作者机构：佳木斯大学黑龙江佳木斯154007 

基　　金：佳木斯大学博士基金项目(项目编号:22Zb201516) 

出 版 物：《科技创业月刊》 (Journal of Entrepreneurship in Science & Technology)

年 卷 期：2017年第30卷第10期

页      码：124-125页

摘      要：延迟失效是CMOS器件静电损伤中90%的现象,大大地影响了机器使用过程中的准确程度,因此对CMOS器件采取防静电措施的实施是十分重要的。文章对CMOS器件的保护措施进行了说明,同时讲述了导致CMOS器件受静电损伤的原因,并找出多种抗静电的方法且让设计人员加以使用,以此防止CMOS器件损伤。

主 题 词：CMOS器件 静电损伤 保护措施 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1665-2272.2017.10.046

馆 藏 号：203232318...