0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证

作     者：卢仕龙 刘汝萍 林敏 俞跃辉 董业民 

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院上海201210 

基　　金：中科院重点部署项目(KGFZD-135-16-015) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2017年第42卷第6期

页      码：469-474页

摘      要：基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一款测试芯片,针对总剂量辐射效应对抗辐射标准单元库的验证方法进行研究。测试芯片主要用于测试标准单元的功能和性能,同时为了满足总剂量辐射测试的试验要求,开发了现场可编程门阵列(FPGA)自动测试平台,用于芯片测试和数据采集工作。试验在模拟空间辐射环境下进行,通过了总剂量150 krad(Si)的辐射测试。测试经过辐射后的芯片,单元功能保持正确,性能变化在10%以内,经过退火处理后,内核(core)电流恢复辐射前的水平。

主 题 词：绝缘体上硅(SOI) 标准单元库 测试芯片 总剂量辐射 现场可编程门阵列(FPGA) 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.06.012

馆 藏 号：203232404...