高介、低损耗Ba(Ti,Zr)O_3基电容器陶瓷的研究

作     者：黄新友 牛宾 江晓霞 侍克虎 HUANG Xin-you;Niu Bin;JIANG Xiao-xia;SHI Ke-hu

作者机构：江苏理工大学材料科学与工程学院江苏镇江212013 

出 版 物：《江苏理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of Jiangsu University of Science and Technology(Natural Science))

年 卷 期：2001年第22卷第1期

页      码：66-70页

摘      要：采用正交设计实验法研究了配方对Ba(Ti,Zr)O3(BTZ)基电容器陶瓷介电性能的影响 ,得到了影响BTZ基陶瓷介电性能的主次因素 ,各因素水平影响其性能的趋势 对介电常数而言 ,主次影响因素的顺序为Nb2 O5、BaZrO3/BaTiO3、ZnO、CeO2 ;对介质损耗而言 ,主次影响因素的顺序为Nb2 O5、ZnO、CeO2 、BaZrO3/BaTiO3 同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方 通过正交设计实验得到了综合性能最佳的BTZ基陶瓷 ,它具有高介 (ε)≥1 32 0 0低损耗 (tanδ) <60× 1 0 - 4 和高耐压 (大于 5MV/m) 探讨了各组分对BTZ基陶瓷介电性能影响机理 ,为研制高介、低损耗。

主 题 词：BT二基 陶瓷电容器 铁电 正交设计 铁酸钡 铝酸钡 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-7775.2001.01.017

馆 藏 号：203233291...